NJVMJD350T4G

NJVMJD350T4G milik Bipolar Junction Transistor (BJT) chip, khususnya PNP-tipe Bipolar Junction Transistor.chip ini memiliki seperangkat spesifikasi khusus dan karakteristik kinerja.

Berikut adalah spesifikasi utama dari chip NJVMJD350T4G diterjemahkan ke dalam bahasa Inggris:

• Tegangan maksimum kolektor-emitter (VCEO): 300V
• Tegangan dasar kolektor maksimum (VCBO): 300V
• Tegangan dasar maksimum pemancar (VEBO): 3V
• Arus maksimum kolektor DC (Ic): 500mA (yaitu, 0,5A)
• Tegangan Saturasi Kolektor-Emitter: Bisa setinggi 1V dalam kondisi tertentu
• Penghambatan Daya (Pd): 15W maksimum
• Produk Bandwidth Gain (fT): 10MHz
• Suhu operasi minimum: -65°C
• Suhu operasi maksimum: + 150°C

Selain itu, chip NJVMJD350T4G memiliki karakteristik berikut:

• Jenis Paket: Biasanya datang dalam paket DPAK-3 (TO-252-3) yang cocok untuk aplikasi perangkat permukaan-mount (SMD/SMT).
• Kepatuhan RoHS: Memenuhi persyaratan RoHS, yang berarti tidak mengandung timbal atau zat berbahaya lainnya.
• Aplikasi: Dirancang untuk digunakan dalam amplifier output audio line-operated, mode switching, dan aplikasi lain yang membutuhkan amplifikasi transistor dan fungsi switching.

Singkatnya,NJVMJD350T4G adalah chip Transistor Bipolar Junction tipe PNP yang stabil dan serbaguna yang banyak digunakan dalam berbagai perangkat elektronik yang membutuhkan amplifikasi transistor dan kemampuan switching.