|
| Kategori: | Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET FET tunggal, MOSFET | Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs: | 50 nC @ 4,5 V |
|---|---|---|---|
| Status Produk: | Usang | Tipe pemasangan: | Permukaan Gunung |
| Paket: | Tape & Reel (TR) | Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds: | 4010 pF @ 15 V |
| Seri: | HEXFET® | Vg (Maks): | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA | Paket Perangkat Pemasok: | D-Pak |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: | 4,5mOhm @ 15A, 10V | Mfr: | Teknologi Infineon |
| Suhu operasi: | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipe FET: | Saluran-N |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | Disipasi Daya (Maks): | 140W (Tc) |
| Paket / Kasus: | TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63 | Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): | 30 V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C: | 140A (Tc) | teknologi: | MOSFET (Oksida Logam) |
| Fitur FET: | - |
N-Channel 30 V 140A (Tc) 140W (Tc) Permukaan Gunung D-Pak
Kontak Person: Liu Guo Xiong
Tel: +8618200982122
Faks: 86-755-8255222