MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 adalah transistor daya RF yang diproduksi oleh NXP, yang dirancang khusus untuk aplikasi RF bertenaga tinggi.

Parameter Dasar

• Jenis Produk: RF MOSFET Transistor (Radio Frequency Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Produsen: NXP
• Polaritas: N-Channel
• Paket: SOT1787
• Teknologi: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Parameter Listrik

• Frekuensi Operasi: 1200 sampai 1400 MHz
• Kekuatan output: 1000 W (Tinggi)
• Peningkatan Tipikal (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (Peningkatan spesifik dapat bervariasi dengan frekuensi)
• Tegangan pemisahan sumber pembuangan (Vds): Tidak ditentukan secara langsung, tetapi transistor LDMOS umumnya memiliki tegangan pemecahan yang tinggi
• Arus pembuangan terus menerus (Id): Tidak ditentukan secara langsung, tetapi ditentukan oleh persyaratan aplikasi dan desain
• Tegangan sumber gerbang (Vgs): -6 V sampai +10 V (Rang untuk mengontrol tegangan gerbang)
• Penghambatan Daya (Pd): Tidak ditentukan secara langsung tetapi membutuhkan desain disipasi panas yang baik untuk aplikasi daya tinggi

Suhu operasi

• Suhu operasi maksimum: + 150°C
• Suhu operasi minimum: -40°C

Karakteristik Aplikasi

• Operasi broadband: Input dan output internal yang cocok untuk operasi dan penggunaan broadband yang nyaman
• Fleksibilitas Konfigurasi: Dapat digunakan dalam konfigurasi ujung tunggal, push-pull, atau kuadrat
• Kekuatan Tinggi: Cocok untuk aplikasi pulsa, terutama unggul dalam aplikasi radar L-band militer dan komersial bertenaga tinggi

Informasi Tambahan

• Paket/Kasus: Kemasan SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology), cocok untuk teknologi permukaan-mount
• Jumlah kemasan: Biasanya dikemas dalam jumlah tertentu (misalnya, 50 buah) per unit