• Indonesian
Rumah ProdukICS Sirkuit Terpadu

MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit

I 'm Online Chat Now

MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit
MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit

Gambar besar :  MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit

Detail produk: Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1000 pcs
Harga: Negotiated
Stok: 10000-500000 pcs
Metode Pengiriman: LCL, UDARA, FCL, Ekspres
Deskripsi: "MT41K256M16TW-107:P" adalah nomor model untuk chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), y
Syarat-syarat pembayaran: T/T

MT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit

Deskripsi
Kapasitas penyimpanan: 4Gbit Lebar data: 16-Bit
Jenis Paket: FBGA-96
Menyoroti:

MT41K256M16TW-107:P Memori Akses acak Dinamis

,

Skalabilitas Dynamic Random Access Memory

,

Sirkuit terpadu elektronik 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P adalah chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) yang diproduksi oleh Micron, milik keluarga DDR3L (Low Voltage DDR3).

Parameter Dasar

  • Kapasitas penyimpanan: 4Gbit (yaitu, 256M x 16bit)
  • Luas Data: 16-bit
  • Jenis Paket: FBGA-96 (Fine-pitch Ball Grid Array dengan 96 pin)
  • Jangkauan tegangan: 1.283V sampai 1.45V (sesuai dengan rentang tegangan rendah standar DDR3L)

Parameter Kinerja

  • Frekuensi Jam: Hingga 933MHz (meskipun frekuensi operasi sebenarnya dapat bervariasi tergantung pada desain sistem dan persyaratan aplikasi)
  • Waktu Akses: Biasanya terkait dengan frekuensi operasi, tetapi beberapa referensi menyebutkan waktu akses 20ns (kemungkinan nilai uji dalam kondisi tertentu)
  • Jangkauan suhu operasi: Umumnya antara 0°C sampai 95°C, tetapi suhu operasi minimum bisa serendah -40°C menurut sumber yang berbeda

Fitur Fungsi

  • Kompatibilitas ke Belakang: Mendukung operasi pada 1.5V untuk kompatibilitas dengan perangkat DDR3
  • Differential Bi-directional Data Strobe: Memungkinkan sinyal diferensial untuk meningkatkan stabilitas sinyal dan kekebalan suara
  • Arsitektur 8n-Prefetch: Meningkatkan efisiensi transfer data
  • Input Jam Diferensial (CK, CK#): Menggunakan sinyal jam diferensial untuk mengurangi kesesuaian jam dan kebisingan
  • Programmable CAS Latency (CL), Additive Latency (AL), dan CAS Write Latency (CWL): Menyediakan pengaturan latensi yang fleksibel untuk mengakomodasi kebutuhan kinerja yang berbeda
  • Modus Pembaharuan Sendiri: Mengaktifkan pembaruan otomatis data memori selama periode tidak aktif untuk mencegah kehilangan data

Informasi Tambahan

  • Memenuhi RoHS: Memenuhi standar RoHS (Restriction of Hazardous Substances), menjadikannya produk ramah lingkungan
  • Gaya pemasangan: Perangkat Surface Mount (SMD/SMT), cocok untuk kebutuhan miniaturisasi dan integrasi perangkat elektronik modernMT41K256M16TW-107:P Dynamic Random Access Memory Skalabilitas 4Gbit 0

Rincian kontak
Sensor (HK) Limited

Kontak Person: Liu Guo Xiong

Tel: +8618200982122

Faks: 86-755-8255222

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)